P3M06060G7
Número de pieza:
P3M06060G7
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 0
Cant.
Precio
Total
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Proveedor Dispositivo Paquete
D2PAK-7
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Disipación de Potencia (Máx.)
159W
Vgs (Máx.)
+20V, -8V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
44A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.2V @ 20mA (Typ)
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