SIR580DP-T1-BE3
Número de pieza:
SIR580DP-T1-BE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
7600
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$3.09
$3.09
10+
$2
$20
100+
$1.38
$138
500+
$1.16
$580
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
80 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK® SO-8
Paquete / Carcasa
PowerPAK® SO-8
Disipación de Potencia (Máx.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
7.5V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
35.8A (Ta), 146A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4100 pF @ 40 V
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