Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Proveedor Dispositivo Paquete
10-SIP
Temperatura de Operación
150°C
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2V @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
400pF @ 10V
Configuración
4 N-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
120V
Potencia - Máx
4W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
200mOhm @ 4A, 10V