TP65H150BG4JSG-TR
Número de pieza:
TP65H150BG4JSG-TR
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
2035
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$5.54
$5.54
10+
$3.68
$36.8
100+
$2.62
$262
500+
$2.49
$1245
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Vgs (Máx.)
±10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Disipación de Potencia (Máx.)
83W (Tc)
Paquete / Carcasa
8-PowerTDFN
Proveedor Dispositivo Paquete
8-PQFN (5x6)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.8V @ 500µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
6V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 6V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
400 pF @ 400 V
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