TP65H300G4JSGB-TR
Número de pieza:
TP65H300G4JSGB-TR
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
5475
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$4.74
$4.74
10+
$3.13
$31.3
100+
$2.21
$221
500+
$2.02
$1010
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Vgs (Máx.)
±10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
3.5 nC @ 10 V
Paquete / Carcasa
8-PowerTDFN
Disipación de Potencia (Máx.)
41.6W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
8-PQFN (5x6)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.8V @ 500µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
6V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
400 pF @ 400 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
312mOhm @ 6.5A, 6V
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