CAB525F12XM3
CAB525F12XM3
CAB525F12XM3
Référence :
CAB525F12XM3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC MODULE
Boîtier :
Conditionnement :
Box
Quantité :
1601
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1340.63
$1340.63
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage
-
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1300nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
38000pF @ 800V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 140mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 450A, 15V
Puissance - Max
1.034kW (Tj)
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