CLB650M17HM3
Référence :
CLB650M17HM3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC MODULE, 650 A, 1700 V, 62 MM
Boîtier :
Conditionnement :
Box
Quantité :
1603
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$4280.72
$4280.72
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage
-
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1700V (1.7kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
916A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.86mOhm @ 650A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 305mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
2988nC @ 15V
Configuration
2 N-Channel, Common Source (Half Bridge)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
97300pF @ 1.2kV
Puissance - Max
2.78kW (Tc)
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