DCK10I650HA
DCK10I650HA
DCK10I650HA
Référence :
DCK10I650HA
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$4.97
$4.97
10+
$3.29
$32.9
450+
$1.94
$873
900+
$1.81
$1629
1350+
$1.76
$2376
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Boîtier
TO-247-2
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
650 V
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.55 V @ 10 A
Courant - Fuite inverse @ Vr
10 µA @ 650 V
电容 @ Vr, F
398pF @ 1V, 1MHz
Courant - Moyenne redressée (Io)
30.4A
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