DCK30I1200HA1
DCK30I1200HA1
DCK30I1200HA1
Référence :
DCK30I1200HA1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 30A TO-
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$8.75
$8.75
30+
$5.08
$152.4
120+
$4.27
$512.4
510+
$3.74
$1907.4
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
1200 V
Boîtier
TO-247-2
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 30 A
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247
Courant - Fuite inverse @ Vr
200 µA @ 1200 V
Courant - Moyenne redressée (Io)
80.6A
电容 @ Vr, F
1640pF @ 1V, 1MHz
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