G3F25MT12J-TR
Référence :
G3F25MT12J-TR
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
799
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$19.46
$19.46
10+
$15.7
$157
100+
$15.15
$1515
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263-7
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 34A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 24mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3325 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (Max)
362W (Tc)
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