GC210N80FE
Référence :
GC210N80FE
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1650
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$4.62
$4.62
10+
$3.04
$30.4
100+
$2.15
$215
500+
$1.76
$880
1000+
$1.64
$1640
2000+
$1.59
$3180
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
800 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (5x6)
Dissipation de puissance (Max)
51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Boîtier
8-PowerSMD, Flat Leads
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 8.5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 380 V
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