GT013N04Q
GT013N04Q
GT013N04Q
Référence :
GT013N04Q
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N-CH 40V 195A 96W TO-247
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1650
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.21
$3.21
10+
$2.08
$20.8
100+
$1.43
$143
500+
$1.16
$580
1000+
$1.07
$1070
2000+
$1
$2000
5000+
$0.97
$4850.01
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Dissipation de puissance (Max)
96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (5x6)
Boîtier
8-PowerSMD, Flat Leads
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3850 pF @ 20 V
Derniers produits
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-