GT130N20M
Référence :
GT130N20M
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N-CH 200V 90A 250W TO-263
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
100
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$4.32
$4.32
10+
$2.84
$28.4
100+
$1.99
$199
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
200 V
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263
Dissipation de puissance (Max)
250W (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5860 pF @ 100 V
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