IRF60B217

IRF60B217
IRF60B217
Référence :
IRF60B217
Catégorie :
-
Description :
TRENCH 40<-<100V
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
4766
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 324
Qté
Prix
Total
324+
$1.02
$330.48
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-220-3
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
PG-TO220-3-1
Dissipation de puissance (Max)
83W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2230 pF @ 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 36A, 10V
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