IXSJ25N120R1
Référence :
IXSJ25N120R1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$14.94
$14.94
30+
$9.07
$272.1
120+
$7.79
$934.8
510+
$7.55
$3850.5
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs (Max)
+21V, -4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
81mOhm @ 12A, 18V
Fournisseur Dispositif Emballage
ISO247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 5.3mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1435 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (Max)
75.3W (Tc)
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