IXSJ80N120R1
Référence :
IXSJ80N120R1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$32.25
$32.25
30+
$20.96
$628.8
120+
$20.19
$2422.8
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs (Max)
+21V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 22.2mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
154 nC @ 18 V
Fournisseur Dispositif Emballage
ISO247-3L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 40A, 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4522 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (Max)
266W
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