P3M12160K3
Référence :
P3M12160K3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 0
Qté
Prix
Total
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
TO-247-3
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Dissipation de puissance (Max)
110W
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
192mOhm @ 10A, 15V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Vgs (Max)
+21V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 2.5mA (Typ)
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