S1M1000170J
Référence :
S1M1000170J
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$5.52
$5.52
10+
$3.66
$36.6
100+
$2.61
$261
500+
$2.16
$1080
1000+
$2.02
$2020
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Dissipation de puissance (Max)
100W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263-7
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Tension Drain-Source (Vdss)
1700 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
160 pF @ 1000 V
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