S2M0016120D
Référence :
S2M0016120D
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$18.82
$18.82
10+
$13.36
$133.6
300+
$10.18
$3054
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247AD
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
140A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
714W (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+20V, -5V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 23mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22.3mOhm @ 75A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
224 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6680 pF @ 1000 V
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