S2M0040120N2
Référence :
S2M0040120N2
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$37.84
$37.84
36+
$24.67
$888.12
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
SOT-227-4, miniBLOC
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-227
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Dissipation de puissance (Max)
312.5W (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 40A, 20V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2748 pF @ 1000 V
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