S2M0080120B
Référence :
S2M0080120B
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$7.7
$7.7
10+
$5.2
$52
100+
$3.78
$378
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263-7
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Dissipation de puissance (Max)
176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1324 pF @ 1000 V
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