S3M0016120D
Référence :
S3M0016120D
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 1
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$19.13
$19.13
10+
$13.59
$135.9
300+
$10.39
$3117
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247AD
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 30mA
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 75A, 18V
Vgs (Max)
+18V, -4V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
287 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5251 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (Max)
732W (Tc)
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