STA509A
Référence :
STA509A
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET 4N-CH 57V 3A 10SIP
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 0
Qté
Prix
Total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Boîtier
10-SIP
Fournisseur Dispositif Emballage
10-SIP
Température de fonctionnement
150°C
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 10V
Configuration
4 N-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
57V
Puissance - Max
4W (Ta), 20W (Tc)
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