TP65H070G4LSGB-TR
Référence :
TP65H070G4LSGB-TR
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
2487
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$12.8
$12.8
10+
$8.89
$88.9
100+
$7.56
$756
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Boîtier
8-PowerTDFN
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8.4 nC @ 10 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 700µA
Fournisseur Dispositif Emballage
8-PQFN (8x8)
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