XP10NA8R2LMT
Référence :
XP10NA8R2LMT
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N CH 100V 17.7A PMPAK
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 3000
Qté
Prix
Total
3000+
$0.71
$2130
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Boîtier
8-PowerLDFN
Dissipation de puissance (Max)
5W (Ta), 69W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
8-PMPAK (5x6)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
68.8 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
17.7A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 12A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2720 pF @ 80 V
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