AS1M040120T
部品番号：
AS1M040120T
製品カテゴリ：
-
説明：
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$24.98
$24.98
30+
$15.87
$476.1
120+
$14.61
$1753.2
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
60A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
最大消費電力
330W (Tc)
パッケージ / ケース
TO-247-4
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）
+25V, -10V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 40A, 20V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
142 nC @ 20 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2946 pF @ 1000 V
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