QS120SCM80D2P
部品番号：
QS120SCM80D2P
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
1200V N-CHANNEL SIC MOSFET 80 M
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1000
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$10.18
$10.18
10+
$9.89
$98.9
250+
$9.63
$2407.5
500+
$9.08
$4540
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
40A (Tc)
最大消費電力
250W (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1001 pF @ 800 V
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK-7L
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
60 nC @ 20 V
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