テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
20 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 50µA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
705 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
345mOhm @ 5.6A, 10V