E3M0900170D

E3M0900170D
E3M0900170D
部品番号:
E3M0900170D
製品カテゴリ:
-
メーカー:
説明:
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
封止:
パッケージ:
Tube
数量:
1963
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$7.46
$7.46
30+
$4.24
$127.2
120+
$3.53
$423.6
510+
$3.01
$1535.1
1020+
$2.82
$2876.4
2010+
$2.67
$5366.71
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
Automotive
認定
AEC-Q101
パッケージ / ケース
TO-247-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
最大消費電力
41W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
15V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1700 V
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs(最大)
+19V, -8V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
10 nC @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
202 pF @ 1.2 kV
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 550µA
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