電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
15V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1700 V
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
10 nC @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
202 pF @ 1.2 kV
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 550µA