サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4L
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
18V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
329 nC @ 15 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
7252 pF @ 500 V