電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
62A (Tc)
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
18V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
112 nC @ 15 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 40mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 22A, 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2818 pF @ 500 V