GCMX080C120S1-E1
部品番号：
GCMX080C120S1-E1
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1630
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$23.5
$23.5
10+
$16.89
$168.9
100+
$13.52
$1352
部品ステータス
Active
実装タイプ
Chassis Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
28A (Tc)
パッケージ / ケース
SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
最大消費電力
118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
Vgs（最大）
+22V, -8V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
57 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1328 pF @ 1000 V
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