IV1Q12160T3
IV1Q12160T3
IV1Q12160T3
部品番号:
IV1Q12160T3
製品カテゴリ:
-
メーカー:
説明:
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO247
封止:
パッケージ:
Tube
数量:
1600
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
在庫
最小注文数量:120
数量
価格
合計
120+
$3.76
$451.2
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
19A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.9mA
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
20V
最大消費電力
134W (Tc)
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(最大)
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 10A, 20V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
43 nC @ 20 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
895 pF @ 800 V
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