IV1Q12750T3
部品番号：
IV1Q12750T3
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
SIC MOSFET, 1200V 750MOHM, TO247
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1600
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：120
数量
価格
合計
120+
$2.76
$331.2
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 20V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
15.8 nC @ 20 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
260 pF @ 800 V
最大消費電力
78.4W (Tc)
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