IV2Q06025D7Z
部品番号：
IV2Q06025D7Z
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1600
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：800
数量
価格
合計
800+
$6.59
$5272.01
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263-7
最大消費電力
600W (Tc)
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
Vgs（最大）
+20V, -5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 12mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
125 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3090 pF @ 600 V
パッケージ / ケース
TO-263-7
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