IV2Q12040T4Z
部品番号：
IV2Q12040T4Z
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 40MOHM,
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1660
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$11.86
$11.86
10+
$8.19
$81.9
100+
$6.12
$612
500+
$5.58
$2790
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
65A (Tc)
最大消費電力
375W (Tc)
パッケージ / ケース
TO-247-4
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
Vgs（最大）
+20V, -5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2160 pF @ 800 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 9mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
110 nC @ 18 V
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