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製品リスト
IV2Q12160T4Z
部品番号:
IV2Q12160T4Z
製品カテゴリ:
-
メーカー:
Inventchip
説明:
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 160MOHM,
封止:
パッケージ:
Tube
数量:
1660
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
IV2Q12160T4Z
見積依頼
在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$8.11
$8.11
10+
$5.49
$54.9
100+
$4.01
$401
500+
$3.38
$1690
製品パラメータ
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Tc)
最大消費電力
136W (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
パッケージ / ケース
TO-247-4
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
18V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(最大)
+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
29 nC @ 18 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
580 pF @ 800 V
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