IV2Q171R0D7Z
部品番号：
IV2Q171R0D7Z
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
GEN2, SIC MOSFET, 1700V 1000MOHM
封止：
パッケージ：
Strip
数量：
1660
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$6.2
$6.2
10+
$4.14
$41.4
100+
$2.97
$297
500+
$2.47
$1235
1000+
$2.37
$2370
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263-7
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
最大消費電力
73W (Tc)
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1700 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
Vgs（最大）
+20V, -5V
パッケージ / ケース
TO-263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs
910mOhm @ 1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 380uA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
16.5 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
285 pF @ 1000 V
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