IXSJ80N120R1
部品番号：
IXSJ80N120R1
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1600
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$32.25
$32.25
30+
$20.96
$628.8
120+
$20.19
$2422.8
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-247-3
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
85A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
Vgs（最大）
+21V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 22.2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
154 nC @ 18 V
サプライヤーデバイスパッケージ
ISO247-3L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 40A, 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
4522 pF @ 800 V
最大消費電力
266W
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