テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
パッケージ / ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 10A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1070 pF @ 50 V