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製品リスト
SIHG125N65E-GE3
部品番号:
SIHG125N65E-GE3
製品カテゴリ:
-
メーカー:
Vishay Siliconix
説明:
E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
封止:
パッケージ:
Tube
数量:
2094
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
SIHG125N65E-GE3
見積依頼
在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$9.87
$9.87
10+
$6.75
$67.5
100+
$6
$600
500+
$5.17
$2585
1000+
$4.63
$4630.01
製品パラメータ
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247AC
パッケージ / ケース
TO-247-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Vgs(最大)
±30V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
57 nC @ 10 V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
最大消費電力
208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 12A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1938 pF @ 100 V
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