WI71100TR
부품 번호:
WI71100TR
제품 분류:
-
제조사:
설명:
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
2494
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$6.59
$6.59
10+
$5.05
$50.5
25+
$4.66
$116.5
100+
$4.24
$424
250+
$4.04
$1010
500+
$3.92
$1960
1000+
$3.82
$3820
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
전력 소산 (최대)
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)
700 V
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (최대)
+6V, -4V
패키지 / 케이스
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
17A (Tj)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
6V
공급업체 장치 패키지
8-PDFN (8x8)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 6V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
4.8 nC @ 6 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
120 pF @ 400 V
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