E3M0900170D
부품 번호:
E3M0900170D
제품 분류:
-
제조사:
설명:
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
패키지 타입:
패키지:
Tube
수량:
1963
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$7.46
$7.46
30+
$4.24
$127.2
120+
$3.53
$423.6
510+
$3.01
$1535.1
1020+
$2.82
$2876.4
2010+
$2.67
$5366.71
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
Automotive
자격 인증
AEC-Q101
패키지 / 케이스
TO-247-3
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
전력 소산 (최대)
41W (Tc)
공급업체 장치 패키지
TO-247-3
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V
드레인-소스 전압 (Vdss)
1700 V
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (최대)
+19V, -8V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
10 nC @ 15 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
202 pF @ 1.2 kV
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 550µA
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