FF07025FA
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부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
장착 유형
-
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
81A (Tc)
전력 소산 (최대)
333W (Tc)
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
패키지 / 케이스
8-PowerSFN
Vgs (최대)
+18V, -8V
드레인-소스 전압 (Vdss)
750 V
공급업체 장치 패키지
TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 60mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
34mOhm @ 30A, 18V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
174 nC @ 15 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4604 pF @ 500 V
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