GP2T030A170H
GP2T030A170H
GP2T030A170H GP2T030A170H
부품 번호:
GP2T030A170H
제품 분류:
-
제조사:
설명:
SIC MOSFET
패키지 타입:
패키지:
Tube
수량:
1627
RoHS 상태:
지원
공유:
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$31.05
$31.05
10+
$22.7
$227
100+
$19.25
$1925
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
83A (Tc)
패키지 / 케이스
TO-247-4
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20mA
드레인-소스 전압 (Vdss)
1700 V
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (최대)
+25V, -10V
공급업체 장치 패키지
TO-247-4
Rds On(최대) @ Id, Vgs
36mOhm @ 60A, 20V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
233 nC @ 20 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6202 pF @ 1.2 kV
전력 소산 (최대)
564W (Tc)
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