GP3T020A120H
부품 번호:
GP3T020A120H
제품 분류:
-
제조사:
설명:
GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
패키지 타입:
패키지:
Tube
수량:
1618
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$12.94
$12.94
10+
$8.98
$89.8
100+
$6.75
$675
500+
$6.26
$3130
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
115A (Tc)
패키지 / 케이스
TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20mA
전력 소산 (최대)
429W (Tc)
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
공급업체 장치 패키지
TO-247-4
Vgs (최대)
+22V, -8V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
25mOhm @ 40A, 18V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
234 nC @ 18 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6078 pF @ 1000 V
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