IV1Q12080T4Z
부품 번호:
IV1Q12080T4Z
제품 분류:
-
제조사:
설명:
SIC MOSFET, 1200V 80MOHM, TO247-
패키지 타입:
패키지:
Tube
수량:
1600
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 120
수량
가격
총액
120+
$4.9
$588
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
전력 소산 (최대)
300W (Tc)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
42A (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
패키지 / 케이스
TO-247-4
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
20V
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
공급업체 장치 패키지
TO-247-4
Vgs (최대)
+20V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1680 pF @ 800 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3.10mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
74 nC @ 20 V
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