Корпус
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Поставщик Устройство Корпус
16-PDIP
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
0°C ~ 70°C (TJ)
Мощность - Максимальная
500mW
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
10.6V
Конфигурация
4 N-Channel, Matched Pair
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
500Ohm @ 4V
Vgs(th) (макс.) при Id
10mV @ 1µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2.5pF @ 5V