Рабочая температура
-40°C ~ 85°C
Дистанция сенсорного обнаружения
0.142" (3.6mm)
Метод зондирования
Through-Beam
Конфигурация выхода
Phototransistor
Ток - постоянный прямой (If) (макс.)
50 mA
Ток коллектора (Ic) (макс.)
20 mA
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
30 V