Тип монтажа
Chassis Mount
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
Module
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Мощность - Максимальная
1250W
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
475A
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 160mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1248nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
29300pF @ 600V